Аннотация
В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И2Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды.
Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим модели элементов ИС в своих исследованиях.
Содержание
Глава 1. Основы моделирования элементов ИС
Глава 2. Моделирование биполярных элементов ИС
Глава 3. Моделирование МДП — транзисторов
Глава 4. Общие вопросы моделирования элементов ИС
Глава 5. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых ИС