дискретной
математики.
Теориямножеств,
комбинаторика,
теория графовАэродинамика
автомобиля.
Курс лекцийс краткими
биографиями
конструкторов и дизайнеров
Моделирование
процессов
гидродинамики и теплообмена в технологических
процессах
при изготовлении
упругихэлементов
Монография посвящена теории электронной структуры и спектроскопии переходов неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения. Описаны основные общие особенности многих методов расчетов энергетических зон и их результатов для простейших кристаллов. Приведены результаты теоретических расчетов зон и переходов между ними для модельных кристаллов многих групп соединений. Рассмотрены элементы общей теории оптических свойств для межзонных и экситонных переходов. Приведены теоретические спектры диэлектрической проницаемости и других оптических функций кристаллов многих наиболее изученных групп соединений. В заключительной главе рассмотрены основные особенности спектроскопии характеристических потерь энергии электронов для различных значений переданного волнового вектора и его перспективы для развития нового метода зондирования дисперсии энергетических зон. Монография представляет введение в теорию оптических свойств и электронной структуры неметаллов для научных работников и инженеров, занимающихся экспериментальными исследованиями свойств твердых тел и разработкой различных приборов и устройств, преподавателей, аспирантов, студентов университетов.
Предисловие Введение Часть I. Теория электронной структуры ГЛАВА 1. Структура прямой и обратной решеток. Типы связей 1.1. Структура кристаллов и обратная решетка 1.2. Типы связей ГЛАВА 2. Методы расчетов энергетических зон 2.1. Адиабатическое приближение 2.2. Одноэлектронное приближение 2.3. Функционал электронной плотности (ФЭП) и приближение локальной электронной плотности 2.4. Кристаллический потенциал 2.5. Релятивистский гамильтониан 2.6. Спин-орбитальные расщепления зон 2.7. Триплетная структура верхней валентной зоны 2.8. Роль d-зон в структуре ВВЗ 2.9. Влияние распределения плотности зарядов на симметрию зон и формирование прямых и непрямых переходов 2.10. Теория общих особенностей электронной структуры полупроводников с решеткой цинковой обманки 2.11. Расчеты ионности химической связи 2.12. Основные методы расчетов электронной структуры в одноэлектронном приближении 2.13. Основные методы расчетов электронной структуры в многоэлектронном приб лижении ГЛАВА 3. Энергетические зоны и переходы между ними 3.1. Алмаз 3.2. Кремний 3.3. Германий 3.4. Карбид кремния 3.5. Кристаллы группы A3B5 3.6. Кристаллы группы A2B6 3.7. Теллурид свинца 3.8. Диоксид кремния (кварц) 3.9. Бромид меди и хлорид натрия 3.10. Селен 3.11. Аргон 3.12. Температурная зависимость зон и показателя преломления 3.13. Влияние давления 3.14. Соотношения между энергиями запрещенных зон кубической и гексагональной модификаций полупроводников. Экспериментальные значения энергий междузонных переходов Часть II. Спектроскопия межзонных и экситонных переходов ГЛАВА 4. Элементы общей теории оптических свойств 4.1. Фундаментальные оптические функции 4.2. Связь между поляризацией среды Ρ, диэлектрической восприимчивостью φ и диэлектрической проницаемостью ε 4.3. Теория диэлектрической проницаемости 4.4. Характеристические потери электронов. Эффективные диэлектрическая постоянная и число валентных электронов 4.5. Дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига 4.6. Критические точки 4.7. Плотность состояний энергетических зон 4.8. Морфология оптических спектров. Существование нелокальных (зонных) и локальных (экситонных) характеристик 4.9. Прямые и непрямые переходы 4.10. Теоретические расчеты спектров поглощения и преломления в области длинноволнового края поглощения и спектров преломления в области прозрачности ГЛАВА 5. Расчеты спектров ε2(Ε) и других оптических функций кристаллов 5.1. Алмаз 5.2. Кремний 5.3. Германий 5.4. Карбид кремния 5.5. Группа III-V 5.6. Группа II-VI 5.7. Аморфные Si, Ge, группа III-V 5.8. SiO2, GeO2, GeSe2 5.9. MgO 5.10. BeO, Al2O3, Cu2O, TiO2, ZrO2, Y2O3, Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn 5.11. Группы III-VI, IV-VI, V-VI, MoX2, WX2, HfX2, ZrX 5.12. Группа A2-B5 5.13. Группа A6 (S, Se, Te) 5.14. Группа A5 (P, As, Sb, Bi), B, I 5.15. Группа A1B7 5.16. Галогениды металлов CaF2, CdF2, CuCl, CdI2, PbI2 5.17. Группа титаната бария 5.18. Группа тройных халькогенидов 5.19. Упрощенные модели метастабильных экситонов ГЛАВА 6. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов в твердых телах (СХПЭЭ) — как новый метод исследования электронной структуры материалов 6.1. Общие особенности СХПЭЭ 6.2. Исследования СХПЭЭ при заметных величинах передачи волнового вектора электрона среде неупругого рассеяния Литература Принятые обозначения и сокращения